英飛凌H25R1202清單

功率大的半導(dǎo)體元器件對溫度比較敏感、怕高溫，太熱非常容易毀壞，因此大電流下將工作電壓減少（既功耗更小）會更經(jīng)久耐用，假如功耗過大發(fā)燙比較嚴(yán)重，必定使用壽命減少，穩(wěn)定性差。下面的圖中的電源電路運(yùn)用大電流下，測試全橋與IGBT的損耗，壓降減少以后，必定作用小，更靠譜。數(shù)字萬用表給予的測試工作電壓低，測試電流小，測試有局限。

電滋爐常見全橋?yàn)?5A/600V ~ 25A/800V，IGBT一般為15A~25A/1200V，以2100W電滋爐為例子，Io≈9A（由于電磁爐功率要素不太可能為I，因此輸出功率÷工作電壓獲得的電流值，做為估計(jì)值），實(shí)際上測試數(shù)據(jù)如下所示（實(shí)驗(yàn)以貼近真正的工作中電流為目地）：

以英飛凌（西門子PLC）的IGBT管的壓減少，功耗更小，更靠譜，散熱器還可以相對性小一點(diǎn)，銷售市場上所說的英飛凌H25R1202清單是假品。

因?yàn)樵骷母哳l率特點(diǎn)與抗壓主要參數(shù)沒法精確測量，此方式崗位選擇元器件給予一個(gè)參照。